Rezistoarele îngropate sunt utilizate în principal în cazul în care placa nu poate fi așezată sau semnalul îmbunătățit, iar precizia generală a controlului rezistenței este mai mică de ±10%. Rezistoarele îngropate au cinci avantaje.
1. Avantaje în proiectarea circuitului de transmisie de mare densitate/viteză mare.
Îmbunătățirea potrivirii impedanței liniei.
Scurtarea traseului de transmitere a semnalului și reducerea inductanței parazitare.
Eliminarea reactanței inductive generate în procesele de montare la suprafață sau cartuş.
Reducerea diafoniei semnalelor, a zgomotului și a interferențelor electromagnetice.
2. Avantaje în înlocuirea rezistențelor de plasare.
Reducerea componentelor pasive și creșterea densității de plasare a componentelor active.
Îmbunătățirea capacității de cablare a plăcii datorită reducerii găurilor de trecere.
Deoarece punctul de lipit este redus, astfel încât stabilitatea pieselor electrice după asamblare este îmbunătățită.
3. Rezistorul îngropat după integrare are avantaje în stabilitate.
Pierderea rezistențelor îngropate după ciclurile de rece și căldură este foarte mică, aproximativ 50 × 10-6, în timp ce pierderea altor componente rezistive discrete este de 100 până la 300 × 10-6.
Creșterea rezistenței la aproximativ 2 procente după depozitare la 110 grade timp de 10,000h.
Test de stabilitate într-o gamă largă de frecvențe, mai puțin de 20 GHz.
4. Valoarea rezistenței diferitelor specificații poate fi sintetizată prin simpla ajustare a factorului său de formă și poate fi potrivită perfect cu inductanța interlinie.
5. În proiectarea componentelor pentru rezistențe discrete de înaltă densitate, tehnologia rezistoarelor îngropate poate reduce numărul de straturi și dimensiunea PCB și poate reduce calitatea și costul de producție al plăcii PCB.
Material de rezistență îngropat
În prezent, materialul de rezistență mai matur este materialul Ni-P, iar conținutul general de P este de aproximativ 10%. Rezistivitatea materialului poate fi ajustată prin ajustarea diferitelor grosimi ale materialului Ni-P și conținutului de P.
